CAMBRIDGE GaN DEVICES 為資料中心、逆變器等更多應用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

新封裝提供了更高的功率輸出、便於光學檢查、節省了系統成本，並提高了可靠性

英國劍橋訊–(BUSINESS WIRE)–(美國商業資訊)–
劍橋氮化鎵器件公司（Cambridge GaN Devices 簡稱 CGD）是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，專門開發多種節能 GaN 型功率裝置，旨在實現更環保的電子元件，今日宣布推出兩款新型ICeGaN ™ 產品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻並便於光學檢查。 這兩種封裝均採用經過充分驗證的 DFN 封裝，堅固可靠。

DHDFN-9-1（雙散熱器 DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10×10 mm，並採用側邊可濕焊盤科技，便於光學檢查。 它具有低熱阻（R_th(JC)），可採用底部、頂部和雙側冷卻管道運行，在設計上具有靈活性。 在頂部尤其是雙側冷卻配寘中，效能優於常用的TOLT封裝。 DHDFN-9-1封裝採用雙門引脚設計，有助於優化 PCB 佈局和簡單並聯，使客戶能够輕鬆處理高達6千瓦的應用。

BHDFN-9-1（底部散熱器DFN）是一種底部冷卻式組件，同樣採用側邊可濕焊盤科技，便於光學檢查。 其熱阻為0.28 K/W，比肩或優於其他領先設備。 BHDFN 的外形尺寸為10×10 mm，雖然比常用的 TOLL 封裝更小，但具有相似佈局，囙此也可以使用 TOLL 封裝的 GaN 功率 IC 進行通用佈局，便於使用和評估。

Nare Gabrielyan | CGD產品市場經理 「新型封裝是 CGD 戰畧的一部分，為了使客戶將我們的ICeGaN ™ 產品系列 GaN 功率 IC 用於服務器、資料中心、逆變器/電機驅動器、微型逆變器和其他工業應用，獲得它們帶來的更高的功率密度和效率優勢。 這些應用不僅對設備的要求更高、同時要求設備堅固可靠、易於設計。 新型封裝支持並擴展了ICeGaN ™ 產品系列的這些固有特性。」

提高熱阻效能有以下好處：第一，在相同的R_DS(on)下可以實現更多的功率輸出。 設備在相同功率下也能以較低的溫度運行，囙此需要較少的散熱，從而降低了系統成本。 第二，更低的工作溫度也會帶來更高的可靠性和更長的壽命。 最後，如果應用需要更低的成本，設計者可以使用具有較高R_DS(on)的低成本產品來實現所需的功率輸出。

採用新型封裝的 ICeGaN ™ 產品系列 GaN 功率 IC 封裝產品將於2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的 PCIM 展覽上首次公開展示。 CGD 的展位號為7-643。

關於 Cambridge GaN Devices

英商劍橋氮化鎵器件有限公司（Cambridge GaN Devices，簡稱CGD）專注於 GaN 電晶體和 IC 的設計、開發及商業化，致力於推動能源效率和提高功率密度層面的根本變革。我們的使命是提供各種簡便節能的 GaN 解決方案，以便將創新成果帶入日常生活。CGD的ICeGaN™ 技術已被證實適合大規模生產，公司正在快速擴展，製造商和代理商的合作夥伴關係也陸續到位。CGD 是從劍橋大學分立出來的無晶圓廠半導體公司， 創辦人兼執行長 Giorgia Longobardi 博士及技術長 Florin Udrea 教授等公司創辦人仍與劍橋大學享有盛譽的高電壓微電子及感測器小組 (HVMS) 維持密切合作。在 CGD 專注推動創新的努力下，ICeGaN HEMT 技術取得一系列強大且持續擴展的 IP 組合，享有堅實可靠的智慧財產保障。CGD 團隊所擁有的技術和商業專業知識，加上在電力電子市場受到的肯定與良好記錄，是公司專有技術在市場上獲得認可的基礎。

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